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胡月 副教授电子信息学院（集成电路科学与工程学院）
职务： 毕业院校：
武汉大学
邮件： yuehu@hdu.edu.cn
办公地点：
电话：
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10 访问 |
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个人简介
教育经历
2001.09—2005.07 武汉大学 电子科学与技术专业学士学位 2007.09—2012.12 武汉大学 微电子学与固体电子学专业博士学位 工作经历
2014.01—至今 bob电竞ios
电子信息学院
社会职务
bob电竞ios 温州研究院 副院长 研究领域
微纳半导体器件建模、高压半导体器件设计与建模 教学与课程
线性电子电路、电路与电子线路2
纵向科研
[1] 国家自然科学基金青年项目：高压LDMOS的新结构和解析集约-等效电路模型研究，2015.01-2017.12，26万元，结题。 [2] 浙江省自然科学基金一般项目：高压SOI LDMOS的结构设计与建模研究，2019.01-2021.12，10万，结题。 [3] 温州市基础科技项目，高压SOI LDMOS的结构设计与模型研究，2019.01-2020.12，5万，结题。 横向科研
论文
[1] Yue Hu, Zhifeng Liu, Shichang Chen, Jing Wang, Wen-Sheng Zhao and Gaofeng Wang, “Numerical Investigation on L-Shaped Vertical Field Plate in High-Voltage LDMOS,” Results in Physics, 2019. [2] Yue Hu, Yanfei Gong, Huazhen Liu, Qianqian Xu, Wen-Sheng Zhao, Jing Wang, Ying Wang, and Gaofeng Wang, Numerical Investigation of High-Voltage Partial Buried P/N-Layer SOI LDMOS, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 9, pp. 3725 - 3733, 2017. [3] Yue Hu, Huazhen Liu, Qianqian Xu, Luwen Wang, Jing Wang, Shichang Chen, Peng Zhao, Ying Wang, and Gaofeng Wang, Dimension Effect on Breakdown Voltage of Partial SOI LDMOS, IEEE Journal of the Electron Devices Society, vol. 5, no. 3, pp. 157-163, 2017 [4] Yue Hu, Hao Wang, Caixia Du, Miaomiao Ma, Mansun Chan, Jin He, and Gaofeng Wang, A High-Voltage (>600 V) N-Island LDMOS With Step-Doped Drift Region in Partial SOI Technology, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 63, no. 5, pp. 1969-1976, 2016 [5] Hao Wang, Sheng Chang, Yue Hu, Hongyu He, Jin He, Qijun Huang, F. He, and Gaofeng Wang, A nvoel barrier controlled tunnel FET, IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 7, pp. 798-800, 2014. [6] Yue Hu, Gaofeng Wang, Sheng Chang, Hao Wang, and Qijun Huang, Thin-film LDMOS on partial SOI with improved breakdown voltage and suppressed kink effect, Int. J. Electron., vol. 101, no. 1, pp. 37-49, 2014. [7] Yue Hu, Qijun Huang, Gaofeng Wang, Sheng Chang, and Hao Wang, A novel high voltage (>600 V) LDMOSFET with buried N-layer in partial SOI technology, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 59, no. 4, pp. 1131-1136, 2012. [8] Yue Hu, Gaofeng Wang, Sheng Chang, Hao Wang, and Qijun Huang, Effect of silicon window polarity on partial-SOI LDMOSFETs, IET Micro Nano Lett., vol. 7, no. 7, pp. 628-630, 2012. 科研成果
[1] 国家自然科学基金青年项目：高压LDMOS的新结构和解析集约-等效电路模型研究，2015.01-2017.12，26万元，结题。 [2] 浙江省自然科学基金一般项目：高压SOI LDMOS的结构设计与建模研究，2019.01-2021.12，10万，结题。 [3] 温州市基础科技项目，高压SOI LDMOS的结构设计与模型研究，2019.01-2020.12，5万，结题。 著作
专利成果
[1] 一种具有凸型扩展埋氧区的沟槽LDMOS晶体管,发明专利,专利授权,202011609749.8,CN112713193B,2023-05-02,电子信息学院（集成电路科学与工程学院）,胡月 [2] 一种具有梯形氧化槽的绝缘层上硅LDMOS晶体管,发明专利,专利授权,201910807559.8,CN110473908B,2023-01-17,电子信息学院（集成电路科学与工程学院）,胡月 [3] 一种半椭圆氧化沟槽LDMOS晶体管,发明专利,专利授权,202011123996.7,CN112201694B,2022-03-08,电子信息学院（集成电路科学与工程学院）,胡月 [4] 一种具有PN柱的绝缘层上硅LDMOS晶体管,发明专利,专利授权,201910796669.9,CN110504321B,2022-03-01,电子信息学院（集成电路科学与工程学院）,胡月 [5] 一种具有L形垂直场板的LDMOS晶体管,发明专利,专利授权,201810654105.7,CN108962974B,2021-10-15,电子信息学院（集成电路科学与工程学院）,胡月 [6] 一种具有多种部分埋层的绝缘层上硅LDMOS晶体管,发明专利,专利授权,201810410509.1,CN108598167B,2021-02-09,电子信息学院（集成电路科学与工程学院）,胡月 荣誉及奖励
软件成果
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