2007年9月-2011年6月，哈尔滨工程大学大学，学士 2012年9月-2016年6月，哈尔滨工程大学大学，博士 2016年7月-2022年12月，bob电竞ios ，电子信息学院，讲师 2023年1月-至今，bob电竞ios ，电子信息学院，副教授 研究方向：1）新型半导体功率器件设计；2）半导体功率器件辐射效应与加固研究
纵向科研
主持或参加的国家自然科学基金项目/课题： (1) 国家自然科学基金委员会, 青年科学基金项目, 61904044, 碳化硅功率MOSFETs粒子辐射效应机理及低载流子寿命控制加固方法研究, 2020-01-01 至 2022-12-31, 26万元, 主持 (2) 国家自然科学基金委员会, 国家重大科研仪器研制项目, 62027814, 基于微沟槽的碳化硅高性能中子探测系统, 2021-01-01 至 2025-12-31, 653.81万元, 在研, 参与 (3) 国家自然科学基金委员会, 面上项目, 61774052, 多维电场调制功率场效应晶体管辐射效应与加固机理研究, 2018-01-01 至 2021-12-31, 63万元, 结题, 参与 (4) 国家自然科学基金委员会, 青年科学基金项目, 61805060, 超吸收结构在Ge基阻挡杂质带THz探测器中的应用研究, 2019-01-01 至 2021-12-31, 25万元, 结题, 参与 主持或参加的其他科研项目/课题 (1) 浙江省科技厅, 浙江省自然科学基金探索一般项目, LY24F040004, 氧化镓功率二极管单粒子效应实验测试与仿真 研究, 2024-01 至 2026-12, 10万元, 在研, 主持 (2) 安徽省科技厅, 长三角科技创新联合攻关专项, 202104g01020007, 三维立体构型SiC基辐射传感器制备研究, 2021-01 至 2023-12, 50万元, 结题, 参与 (3) 安徽省科技厅, 装备预研重点实验室基金项目, 空间***机理, 2018-01 至 2019-12, 10万元, 结题, 参与 横向科研
论文
代表性论文（SCI收录）： [1] Cheng-Hao Yu, Ying Wang*, Xin-Xing Fei, and Fei Cao, “Simulation Study of Single-Event Burnout in Power Trench ACCUFETs,”IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 63, no. 5, pp. 2709-2715, Oct. 2016, doi: 10.1109/TNS.2016.2598871. [2] Cheng-Hao Yu, Ying Wang*, Jun Liu, and Ling-Ling Sun, “Research of Single-Event Burnout in Floating Field Ring termination of Power MOSFETs,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 64, no. 7, pp. 2906-2911, July. 2017, doi: 10.1109/TED.2017.2703833. [3] Cheng-Hao Yu, Ying Wang*, Xing-Ji Li, Chao-Ming Liu, Xin Luo and Fei Cao, “Research of Single-Event Burnout in 4H-SiC JBS Diode by Low Carrier Lifetime Control,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 65, no. 12, pp. 5434-5439, Dec. 2018, doi: 10.1109/TED.2018.2872170. [4] Cheng-Hao Yu, Ying Wang*, Xing-Ji Li*, Jian-Qun Yang, Meng-Tian Bao and Fei Cao, “Study of TID Radiation Effects on the Breakdown Voltage of Buried P-Pillar SOI LDMOSFETs,” IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 21, no. 3, pp. 303-309, Sept. 2021, doi: 10.1109/TDMR.2021.3085335. [5] Cheng-Hao Yu, Ying Wang*, Meng-Tian Bao, Xing-Ji Li*, Jian-Qun Yang, and Zhao-Huan Tang, “Simulation Study of Single-Event Burnout in 1.5-kV 4H-SiC JTE Termination,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 7, pp. 3711-3715, July. 2021, doi: 10.1109/TED.2021.3082806. [6] Cheng-Hao Yu, Ying Wang*, Meng-Tian Bao, Xing-Ji Li, Jian-Qun Yang and Zhao-Huan Tang, “Simulation Study on Single-Event Burnout in Rated 1.2-kV 4H-SiC Super-Junction VDMOS,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 10, pp. 5034-5040, Oct. 2021, doi: 10.1109/TED.2021.3102878. [7] Cheng-Hao Yu, Ying Wang*, Meng-Tian Bao, Xing-Ji Li*, Jian-Qun Yang and Fei Cao, “Impact of Heavy-Ion Irradiation in an 80-V Radiation-Hardened Split-Gate Trench Power UMOSFET,” IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 69, no. 2, pp. 664-668, Feb. 2022, doi: 10.1109/TED.2021.3135369. [8] Cheng-Hao Yu, Meng-Tian Bao*, Ying Wang*, Hao-Min Guo, Yun-Cheng Han and Hai-Fan Hu, “Research of Single-Event Burnout in 1.2-kV Rated CoolSiC Trench MOSFET,” IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, vol. 22, no. 4, pp. 469-476, Dec. 2022, doi: 10.1109/TDMR.2022.3194706. [9] Cheng-Hao Yu, Meng-Tian Bao*, Hao-Min Guo, Hai-Fan Hu, “Study of TID radiation effects on the breakdown voltage of buried P-pillar SOI LDMOSFETs with P-top region,” Microelectronics Reliability, vol. 139, 114850, 2022. [10]Cheng-Hao Yu, Hao-Min Guo*, Yan Liu*, Xiao-Dong Wu, Li-Long Zhang, Xin Tan, Yun-Cheng Han, Lei Ren, “Simulation Study on Single-Event Burnout in Field-Plated Ga2O3 MOSFETs,” Microelectronics Reliability, vol. 149, 115227, 2023. 著作
[1] 王颖, 于成浩, 曹菲, 胡海帆. 一种功率半导体器件抗单粒子烧毁方法, 2016.9.14, 中国, 专利授权号ZL201410134515.0 [2] 王颖, 刘彦娟, 于成浩, 曹菲. 一种沟槽绝缘栅双极型晶体管, 2020.09.05, 中国, 专利授权号ZL201611094731.2 [3] 王颖, 于成浩, 曹菲, 包梦恬. 一种适用于功率半导体器件的抗单粒子烧毁结构，2021.02.09, 中国, 专利授权号ZL201910786441.1 [4] 王颖, 罗昕, 于成浩, 曹菲. 一种具有电极相连PIN埋管的GaN场效应晶体管, 2021.06.15, 中国, 专利授权号ZL201810657234.1 [5] 王颖, 罗昕, 于成浩, 曹菲. 一种具有源极相连P埋层和漏场板的GaN场效应晶体管, 2021.06.22, 中国, 专利授权号ZL201810657252.X [6] 王颖, 于成浩, 李雅男, 郭浩民, 曹菲. 阶梯型微沟槽中子探测器及制备方法, 2022.01.04, 中国, 专利授权号ZL202010239074.6 [7] 王颖, 张孝冬, 于成浩, 曹菲. 一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构, 2022.04.01, 中国, 专利授权号ZL202010023986.X [8] 于成浩, 王颖, 郭浩民, 包梦恬, 张立龙. 一种NP层交替外延的碳化硅微沟槽中子探测器结构, 2023.06.27, 中国, 专利授权号ZL202210406250.X [9] 于成浩, 王颖, 郭浩民, 包梦恬, 张立龙. 一种碳化硅微沟槽中子探测器结构, 2023.06.27, 中国, 专利授权号ZL202210406230.2 [10]于成浩, 王颖, 郭浩民, 包梦恬, 张立龙. 一种抗总剂量辐射效应的SOI LDMOS器件加固结构, 2023.06.27, 中国, 专利授权号ZL202210247580.9 |